一、核心原理与抗阻特性

1. 单向导电与阻抗特性

核心元件：高压硅整流二极管 / 可控硅模块，正向导通阈值≤0.7V（优质≤0.3V），反向阻断电压≥1000V，反向绝缘阻抗≥1MΩ，漏电流≤5μA，避免阴极保护电流流失。

交流适配：50Hz 工频阻抗≤0.3Ω（部分≤0.1Ω），为交流干扰电流提供低阻泄放通道，抑制交流腐蚀。

响应机制：交流正半周导通排流，负半周截止；瞬态响应≤0.1ms，冲击通流容量达 30kA（8/20μs），耐受短时工频故障电流。

2. 抗阻优化设计

内部采用 “低阻铜排 + 并联二极管阵列”，通流效率≥99%，降低导通损耗。

集成 LC 滤波（电感 100μH + 电容 10μF），衰减 100kHz 以下交流谐波，高频插入损耗≥15dB。

内置 MOV+GDT 浪涌防护，钳位瞬态过压至安全阈值，保护内部元件。

二、交流干扰防护电流与参数匹配

1. 防护电流分级与选型

干扰等级 交流干扰电 稳态排流电 峰值耐受电流 推荐型号示例

轻度 ≤5V 10–20A 50kA BX‑D/20‑3

中度 5–15V 20–45A 80kA BX‑D/45‑3

重度 >15V 45–100A 100kA 多台并联

选型原则：额定电流≥预测杂散电流峰值 ×1.2（冗余系数），冲击通流容量≥系统最大故障电流。

2. 典型防护效果

电气化铁路段：排流后交流电位从 15V 降至 0.8V 以下，交流电流密度 < 5A/m²，满足 NACE SP21430‑2018 要求。

高压输电走廊：多级防护将残压控制在 ±6V 以内，防止绝缘层击穿。